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TK4A60DB(STA4,Q,M) Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 3.7A TO-220SIS

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package TO-220SIS
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 1.9A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series π-MOSVII
Power Dissipation (Max) 35W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.7A (Ta)
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