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TK4R3A06PL,S4X Technische Spezifikationen

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 500µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series U-MOSIX-H
Power Dissipation (Max) 36W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48.2nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220SIS
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2 mOhm @ 15A, 4.5V
Packaging Tube
Operating Temperature 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3280pF @ 30V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 68A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
TK4R3E06PL Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 9450
TK4R3E06PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2649

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