TK560A65Y,S4X Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 240µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series DTMOSV
Power Dissipation (Max) 30W
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Operating Temperature 150°C (TJ)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.5nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220SIS
Rds On (Max) @ Id, Vgs 560 mOhm @ 3.5A, 10V
Packaging Tube
Other Names TK560A65Y,S4X(S TK560A65YS4X TK560A65YS4X(S
Mounting Type Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 300V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 650V 7A (Tc) 30W Through Hole TO-220SIS
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TK560A65Y,S4X Markenhersteller: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip Aktie, TK560A65Y,S4X Referenzpreis. TK560A65Y,S4X Parameter, TK560A65Y,S4X Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden TK560A65Y,S4X Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden TK560A65Y,S4X Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, TK560A65Y,S4X Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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