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TK90S06N1L,LQ Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 90A DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 500µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series U-MOSVIII-H
Power Dissipation (Max) 157W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 81nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3 mOhm @ 45A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5400pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Ta)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
TK90S06N1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 18000
TK90S06N1L TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 670
TK90S06N1LQ Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 14484

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TK90S06N1L,LQ Markenhersteller: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip Aktie, TK90S06N1L,LQ Referenzpreis. TK90S06N1L,LQ Parameter, TK90S06N1L,LQ Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden TK90S06N1L,LQ Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden TK90S06N1L,LQ Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, TK90S06N1L,LQ Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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