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TK9P65W,RQ Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 350µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series DTMOSIV
Power Dissipation (Max) 80W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 560 mOhm @ 4.6A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 300V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.3A (Ta)
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TK9P65W,RQ Markenhersteller: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip Aktie, TK9P65W,RQ Referenzpreis. TK9P65W,RQ Parameter, TK9P65W,RQ Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden TK9P65W,RQ Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden TK9P65W,RQ Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, TK9P65W,RQ Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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