TPC8223-H,LQ(S Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 4.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1190pF @ 10V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SOP
Power - Max 450mW
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A
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TPC8201 TPC Spezialisierte heiße ICs 7181
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TPC8201-H TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 1262
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