TPCP8103-H(TE85LFM Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 40V 4.8A PS-8

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Supplier Device Package PS-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 2.4A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series U-MOSIII-H
Power Dissipation (Max) 840mW (Ta)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.8A (Ta)
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