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TPH1110FNH,L1Q Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 250V 15A 8-SOP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 300µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series U-MOSVIII-H
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Package / Case 8-PowerVDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-SOP Advance (5x5)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 112 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta)
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TPH1110FNH,L1Q Markenhersteller: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip Aktie, TPH1110FNH,L1Q Referenzpreis. TPH1110FNH,L1Q Parameter, TPH1110FNH,L1Q Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden TPH1110FNH,L1Q Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden TPH1110FNH,L1Q Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, TPH1110FNH,L1Q Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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