TPH3R003PL,LQ Technische Spezifikationen

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 300µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series U-MOSIX-H
Power Dissipation (Max) 90W (Tc)
Package / Case 8-PowerVDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-SOP Advance (5x5)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2 mOhm @ 44A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3825pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 88A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
TPH3R003PL QQ2850920316 Spezialisierte heiße ICs 9818
TPH3R2003NL Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 31
TPH3R203NL TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 3261
TPH3R203NL ,L1Q T0SH1BA Spezialisierte heiße ICs 15620
TPH3R203NL ,L1Q IC Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 10486
TPH3R203NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2700
TPH3R506PL TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 13538
TPH3R506PLLQ(S Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 4887
TPH3R704PC TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 13520
TPH3R704PL TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 451

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