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TPH4R10ANL,L1Q Technische Spezifikationen

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series U-MOSVIII-H
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 67W (Tc)
Other Names TPH4R10ANLL1Q
Mounting Type Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6.3nF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 100V 92A (Ta), 70A (Tc) 2.5W (Ta), 67W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-SOP Advance (5x5)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1 mOhm @ 35A, 10V
Package / Case 8-PowerVDFN
Operating Temperature 150°C
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 92A (Ta), 70A (Tc)
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TPH4R003NL TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 391
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TPH4R003NL,L1Q(M Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 50
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TPH4R10ANL,L1Q Markenhersteller: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip Aktie, TPH4R10ANL,L1Q Referenzpreis. TPH4R10ANL,L1Q Parameter, TPH4R10ANL,L1Q Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden TPH4R10ANL,L1Q Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden TPH4R10ANL,L1Q Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, TPH4R10ANL,L1Q Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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