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TPH7R006PL,L1Q Technische Spezifikationen

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 200µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series U-MOSIX-H
Power Dissipation (Max) 81W (Tc)
Package / Case 8-PowerVDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-SOP Advance (5x5)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5 mOhm @ 10A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1875pF @ 30V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
TPH7R204PL QQ2850920316 Spezialisierte heiße ICs 37573
TPH7R204PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2578
TPH7R506NH TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 10393
TPH7R506NH ,L1Q(M Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 2834
TPH7R506NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2562

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TPH7R006PL,L1Q Markenhersteller: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip Aktie, TPH7R006PL,L1Q Referenzpreis. TPH7R006PL,L1Q Parameter, TPH7R006PL,L1Q Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden TPH7R006PL,L1Q Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden TPH7R006PL,L1Q Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, TPH7R006PL,L1Q Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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