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TPW1R306PL,L1Q Technische Spezifikationen

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs (Max) -
Supplier Device Package 8-DSOP Advance
Power Dissipation (Max) 960mW (Ta), 170W (Tc)
Package / Case 8-PowerWDFN
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series U-MOSIX-H
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 260A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
TPW1R005PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2632
TPW1R006PL Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 8955
TPW1R104PB Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 9800
TPW1R306PL Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 8977

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TPW1R306PL,L1Q Markenhersteller: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip Aktie, TPW1R306PL,L1Q Referenzpreis. TPW1R306PL,L1Q Parameter, TPW1R306PL,L1Q Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden TPW1R306PL,L1Q Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden TPW1R306PL,L1Q Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, TPW1R306PL,L1Q Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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