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TTC008(Q) Technische Spezifikationen

TRANS NPN 285V 1.5A PW MOLD2

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 285V
Transistor Type NPN
Power - Max 1.1W
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 1mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 1.5A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 62.5mA, 500mA
Supplier Device Package PW-MOLD2
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
TTC0001 TOS Spezialisierte heiße ICs 3820
TTC0002(Q) Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2523
TTC004B ,Q(S Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 1487
TTC004B,Q Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2637
TTC005 Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 1377
TTC007 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 5923
TTC008 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 8385
TTC009 TOSHIBA/ Spezialisierte heiße ICs 5999
TTC009,F(J Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2542
TTC009,F(M Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2594

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