ULN2803AFWG,C,EL Technische Spezifikationen

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SOL

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 8 NPN Darlington
Power - Max 1.31W
Package / Case 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 350mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA
Supplier Device Package 18-SOL
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) -
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
ULN2801A STMicroelectronics Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 2365
ULN2801A IC ST Spezialisierte heiße ICs 1109
ULN2801LW ALL Spezialisierte heiße ICs 80
ULN2802A STMicroelectronics Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 1259
ULN2802LW ALL Spezialisierte heiße ICs 28
ULN2803 ST Spezialisierte heiße ICs 2282
ULN2803 IC Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 95433
ULN2803A STMicroelectronics Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 2222
ULN2803A IC Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 1331
ULN2803A/ ST Spezialisierte heiße ICs 2720

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