RN1905FE,LF(CB Technische Spezifikationen

RN1905FE,LF(CB datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased product details from Toshiba stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays
Manufacturer Toshiba
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Published 2014
Power Dissipation-Max 100mW
Max Collector Current 100mA
Max Breakdown Voltage 50V
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Part Status Active
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Frequency - Transition 250MHz
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
RN1901 TOS Spezialisierte heiße ICs 139395
RN1901 ,LF Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 12307
RN1901(T5L TOS Spezialisierte heiße ICs 6309
RN1901(T5L ,F ,T) Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 6000
RN1901(T5L,F,T) TOS Spezialisierte heiße ICs 6000
RN1901(T5L.F.T) TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 6500
RN1901(T5RSN TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 21424
RN1901(T5RSN ,D ,F ,T Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 21392
RN1901(T5RSN,D,F,T TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 24500
RN1901(T5RSNDFT TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 36388

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