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RN2115,LF(CB Technische Spezifikationen

RN2115,LF(CB datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased product details from Toshiba stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer Toshiba
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Published 2014
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Frequency - Transition 200MHz
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Power Dissipation-Max 100mW
Max Collector Current 100mA
Max Breakdown Voltage 50V
RoHS Status RoHS Compliant
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Die folgenden Teile umfassen  'RN211' 

Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
RN2110 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 3320
RN2110,LF(CB Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2521
RN2110,LF(CB Toshiba Vorbelastete BJT-Transistoren
RN2110,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Vorbelastete BJT-Transistoren
RN2110ACT Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 10376
RN2110ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2747
RN2110CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2709
RN2110F Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 3700
RN2110FT TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 8410
RN2110FV TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 8000

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RN2115,LF(CB Markenhersteller: Toshiba, Bonchip Aktie, RN2115,LF(CB Referenzpreis. RN2115,LF(CB Parameter, RN2115,LF(CB Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden RN2115,LF(CB Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden RN2115,LF(CB Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, RN2115,LF(CB Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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