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RN2910FE,LF(CB Technische Spezifikationen

RN2910FE,LF(CB datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased product details from Toshiba stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays
Manufacturer Toshiba
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Published 2014
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Frequency - Transition 200MHz
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Power Dissipation-Max 100mW
Max Collector Current 100mA
Max Breakdown Voltage 50V
RoHS Status RoHS Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
RN2910 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 6208
RN2910(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2667
RN2910,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage BJT-Transistor-Arrays
RN2910FE TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 63102
RN2910FE,LF(CB Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2706
RN2910FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage BJT-Transistor-Arrays
RN2911 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 3254
RN2911(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2555
RN2911,LF Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2518
RN2911FE TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 4447

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RN2910FE,LF(CB Markenhersteller: Toshiba, Bonchip Aktie, RN2910FE,LF(CB Referenzpreis. RN2910FE,LF(CB Parameter, RN2910FE,LF(CB Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden RN2910FE,LF(CB Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden RN2910FE,LF(CB Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, RN2910FE,LF(CB Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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