TPH3206LDB Technische Spezifikationen

GAN FET 650V 16A PQFN88

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Transphorm
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 500µA
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 11A, 8V
Package / Case 4-PowerDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.3nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±18V
Supplier Device Package PQFN (8x8)
Power Dissipation (Max) 81W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 480V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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TPH3202LS Transphorm Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2688
TPH3202PD Transphorm Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2534
TPH3202PS Transphorm Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2730
TPH3205WS Transphorm Spezialisierte heiße ICs 28
TPH3205WSB Transphorm Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2555
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TPH3206LD Transphorm Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2521
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TPH3206LS Transphorm Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2779

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