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1N6483HE3/96 Technische Spezifikationen

DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Einzeln
Manufacturer Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A
Supplier Device Package DO-213AB
Series SUPERECTIFIER®
Package / Case DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 10µA @ 800V
Capacitance @ Vr, F 8pF @ 4V, 1MHz
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 800V
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 175°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 1A
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1N648-1 Microsemi Corporation Einphasen-Diodengleichrichter
1N6480-E3/96 Vishay / Semiconductor - Diodes Division Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2526
1N6480-E3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division Einphasen-Diodengleichrichter
1N6480-E3/97 Vishay / Semiconductor - Diodes Division Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2514
1N6480-E3/97 Electro-Films (EFI) / Vishay Dioden - Gleichrichter - Einzeln 0
1N6480HE3/96 Vishay / Semiconductor - Diodes Division Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2699
1N6480HE3/96 Electro-Films (EFI) / Vishay Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2527
1N6480HE3/97 Vishay / Semiconductor - Diodes Division Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2746
1N6480HE3/97 Electro-Films (EFI) / Vishay Dioden - Gleichrichter - Einzeln 0

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1N6483HE3/96 Markenhersteller: Vishay / Semiconductor - Diodes Division, Bonchip Aktie, 1N6483HE3/96 Referenzpreis. 1N6483HE3/96 Parameter, 1N6483HE3/96 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden 1N6483HE3/96 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden 1N6483HE3/96 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, 1N6483HE3/96 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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