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VS-GT400TH60N Technische Spezifikationen

IGBT 600V 530A 1600W DIAP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module
Manufacturer Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Supplier Device Package Double INT-A-PAK
Package / Case Double INT-A-PAK (3 + 8)
NTC Thermistor No
Input Capacitance (Cies) @ Vce 30.8nF @ 30V
IGBT Type Trench
Current - Collector (Ic) (Max) 530A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 400A
Power - Max 1600W
Operating Temperature 175°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Input Standard
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Configuration Half Bridge
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VS-GT400TH60N Markenhersteller: Vishay / Semiconductor - Diodes Division, Bonchip Aktie, VS-GT400TH60N Referenzpreis. VS-GT400TH60N Parameter, VS-GT400TH60N Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden VS-GT400TH60N Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden VS-GT400TH60N Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, VS-GT400TH60N Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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