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VS-GT50TP120N Technische Spezifikationen

IGBT 1200V 100A 405W INT-A-PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module
Manufacturer Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Supplier Device Package INT-A-PAK
Package / Case INT-A-PAK (3 + 4)
NTC Thermistor No
Input Capacitance (Cies) @ Vce 6.24nF @ 30V
IGBT Type Trench
Current - Collector (Ic) (Max) 100A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 50A
Power - Max 405W
Operating Temperature 175°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Input Standard
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Configuration Half Bridge
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VS-GT50TP120N Markenhersteller: Vishay / Semiconductor - Diodes Division, Bonchip Aktie, VS-GT50TP120N Referenzpreis. VS-GT50TP120N Parameter, VS-GT50TP120N Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden VS-GT50TP120N Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden VS-GT50TP120N Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, VS-GT50TP120N Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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