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2N6660-E3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 990MA TO-205

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Supplier Device Package TO-205AF (TO-39)
Power Dissipation (Max) 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Package / Case TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 990mA (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 1A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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2N6660-E3 Vishay Siliconix Einzelne MOSFET-Transistoren
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2N6660-E3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, 2N6660-E3 Referenzpreis. 2N6660-E3 Parameter, 2N6660-E3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden 2N6660-E3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden 2N6660-E3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, 2N6660-E3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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