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IRF530S Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package D2PAK
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 8.4A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 670pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRF530 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 90290
IRF530 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2347
IRF530 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 90384
IRF530 Vishay Siliconix Einzelne MOSFET-Transistoren
IRF5305 IR Spezialisierte heiße ICs 10354
IRF5305L International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 6330
IRF5305LPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3316
IRF5305LPBF. IR Spezialisierte heiße ICs 2716
IRF5305P IRF Spezialisierte heiße ICs 31
IRF5305PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 471

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IRF530S Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, IRF530S Referenzpreis. IRF530S Parameter, IRF530S Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IRF530S Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IRF530S Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IRF530S Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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