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IRF630L Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 200V 9A TO-262

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package I2PAK
Power Dissipation (Max) -
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 5.4A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRF630 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1376
IRF630 MOS ST Spezialisierte heiße ICs 533
IRF630. IR Spezialisierte heiße ICs 749
IRF630/FP ST Spezialisierte heiße ICs 838
IRF6305TRL IR Spezialisierte heiße ICs 1480
IRF630A FAIRCHI Spezialisierte heiße ICs 645
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IRF630B MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 336

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