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IRF640L Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 200V 18A TO-262

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package I2PAK
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 11A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRF640 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2347
IRF640 IC ST Spezialisierte heiße ICs 967
IRF640 MOS IR Spezialisierte heiße ICs 839
IRF640,127 NXP Semiconductors / Freescale Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2740
IRF640A SEC Spezialisierte heiße ICs 515
IRF640B FSC Spezialisierte heiße ICs 2332
IRF640B IC IR Spezialisierte heiße ICs 348
IRF640BPBF VB Spezialisierte heiße ICs 5000
IRF640FP STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1259
IRF640L Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2603

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