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IRF710STRR Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package D2PAK
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6 Ohm @ 1.2A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 170pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 400V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRF710 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 9330
IRF710 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2360
IRF7101 IR Spezialisierte heiße ICs 5215
IRF7101 IC IR Spezialisierte heiße ICs 628
IRF7101 MOS IR Spezialisierte heiße ICs 336
IRF7101 SO-8 IR Spezialisierte heiße ICs 5488
IRF7101PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 63147
IRF7101PBF Infineon Technologies MOSFETs Transistor Arrays
IRF7101PBF MOS IR Spezialisierte heiße ICs 15381
IRF7101TPBF IR Spezialisierte heiße ICs 2508

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