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IRF730L Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-262

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package I2PAK
Power Dissipation (Max) -
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.5A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 3.3A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 400V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRF730 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1408
IRF730 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 9119
IRF730 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 9174
IRF730 Rochester Electronics, LLC Einzelne MOSFET-Transistoren
IRF730 IC IR Spezialisierte heiße ICs 716
IRF7301 IR Spezialisierte heiße ICs 4875
IRF7301PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 5483
IRF7301PBF Infineon Technologies MOSFETs Transistor Arrays
IRF7301TR IR Spezialisierte heiße ICs 3787
IRF7301TR IC IR Spezialisierte heiße ICs 898

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