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IRF744PBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 450V 8.8A TO-220AB

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220AB
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.8A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 630 mOhm @ 5.3A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 450V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRF740 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3224
IRF740 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2203
IRF740 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3183
IRF740 MOS IR Spezialisierte heiße ICs 337
IRF7401 IR Spezialisierte heiße ICs 517
IRF7401 MOS IR Spezialisierte heiße ICs 22357
IRF7401/TSM7401 Original Spezialisierte heiße ICs 37900
IRF7401PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 995
IRF7401TR IR Spezialisierte heiße ICs 5244
IRF7401TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3861

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