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IRF820L Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package I2PAK
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 1.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 360pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRF820 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 88731
IRF820 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 12450
IRF820 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 88494
IRF820 IC IR Spezialisierte heiße ICs 1727
IRF820* IR Spezialisierte heiße ICs 2538
IRF820. ST Spezialisierte heiße ICs 1398
IRF820A Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 91799
IRF820A Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 91799
IRF820AL Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2593
IRF820AL Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2716

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