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IRF830L Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-262

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package I2PAK
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 2.7A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 610pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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IRF830 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2499
IRF830 IC IR Spezialisierte heiße ICs 949
IRF830 MOS IR Spezialisierte heiße ICs 571
IRF830-HF MOS APEC Spezialisierte heiße ICs 88722
IRF8301MTRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5000
IRF8301MTRPBF Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IRF8302MTR1PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2766
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IRF830L Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, IRF830L Referenzpreis. IRF830L Parameter, IRF830L Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IRF830L Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IRF830L Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IRF830L Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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