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IRFBC30PBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220AB

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.6A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220AB
Power Dissipation (Max) 74W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRFBC20 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1336
IRFBC20 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 23413
IRFBC20 MOS IR Spezialisierte heiße ICs 565
IRFBC20-030 IR Spezialisierte heiße ICs 2632
IRFBC20F /IR Spezialisierte heiße ICs 2774
IRFBC20L Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2787
IRFBC20L Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2786
IRFBC20LPBF Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2799
IRFBC20LPBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2684
IRFBC20PBF Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5304

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