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IRFBE30PBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 2.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.1A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220AB
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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IRFBE30PBF Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, IRFBE30PBF Referenzpreis. IRFBE30PBF Parameter, IRFBE30PBF Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IRFBE30PBF Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IRFBE30PBF Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IRFBE30PBF Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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