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IRFBF20STRR Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package D2PAK
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 Ohm @ 1A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 490pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRFBF20 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 4225
IRFBF20 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 434
IRFBF20L Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2540
IRFBF20L Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2719
IRFBF20LPBF Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 8295
IRFBF20LPBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 9338
IRFBF20PBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3241
IRFBF20PBF Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 13360
IRFBF20PBF Vishay Siliconix Einzelne MOSFET-Transistoren
IRFBF20PBF MOS IR Spezialisierte heiße ICs 474

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