IRFD9220 Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-DIP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Package / Case 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 560mA (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 340mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 340pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
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