IRFL014PBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package SOT-223
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.7A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 1.6A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRFL014 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 49875
IRFL014 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 10364
IRFL014 MOS IR Spezialisierte heiße ICs 955
IRFL014 N IR Spezialisierte heiße ICs 30500
IRFL014E IR Spezialisierte heiße ICs 1907
IRFL014N IR Spezialisierte heiße ICs 14097
IRFL014NE IR Spezialisierte heiße ICs 493
IRFL014NETR IR Spezialisierte heiße ICs 2454
IRFL014NPB IR Spezialisierte heiße ICs 494
IRFL014NPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3358

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