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IRFL9110 Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package SOT-223
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.7nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.1A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 660mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 200pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
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