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IRFSL31N20DTRL Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 200V 31A TO-262

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package I2PAK
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 200W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 31A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82 mOhm @ 18A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2370pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
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IRFSL31N20DTRL Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, IRFSL31N20DTRL Referenzpreis. IRFSL31N20DTRL Parameter, IRFSL31N20DTRL Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IRFSL31N20DTRL Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IRFSL31N20DTRL Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IRFSL31N20DTRL Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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