IRFU9020PBF Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 50V 9.9A I-PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-251AA
Power Dissipation (Max) 42W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.9A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280 mOhm @ 5.7A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 490pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 50V
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IRFU9010 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2698
IRFU9010 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1340
IRFU9010PBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 10290
IRFU9010PBF Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 10290
IRFU9010PBF Vishay Siliconix Einzelne MOSFET-Transistoren
IRFU9012 V Spezialisierte heiße ICs 2762
IRFU9012PBF I Spezialisierte heiße ICs 10075
IRFU9014 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 268
IRFU9014 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 57609
IRFU9014N International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2552

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