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IRL3102L Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 20V 61A TO-262

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA
Supplier Device Package TO-262-3
Power Dissipation (Max) 89W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 61A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13 mOhm @ 37A, 7V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2500pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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