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IRL510SPBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Supplier Device Package D2PAK
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.1nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.6A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540 mOhm @ 3.4A, 5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRL510 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 32337
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