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IRLD014PBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 1A, 5V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±10V
Supplier Device Package 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Package / Case 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.4nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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