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SI1054X-T1-E3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Supplier Device Package SC-89-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 95 mOhm @ 1.32A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 480pF @ 6V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 236mW (Ta)
Package / Case SOT-563, SOT-666
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.57nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C -
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SI1054X-T1-E3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SI1054X-T1-E3 Referenzpreis. SI1054X-T1-E3 Parameter, SI1054X-T1-E3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI1054X-T1-E3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI1054X-T1-E3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI1054X-T1-E3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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