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SI1926DL-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 510mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 370mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SC-70-3 (SOT323)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 340mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 18.5pF @ 30V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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SI1926DL-T1-GE3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SI1926DL-T1-GE3 Referenzpreis. SI1926DL-T1-GE3 Parameter, SI1926DL-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI1926DL-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI1926DL-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI1926DL-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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