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SI2308BDS-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.8nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 156 mOhm @ 1.9A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 30V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.3A (Tc)
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SI2308BDS-T1-GE3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SI2308BDS-T1-GE3 Referenzpreis. SI2308BDS-T1-GE3 Parameter, SI2308BDS-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI2308BDS-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI2308BDS-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI2308BDS-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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