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SI2329DS-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±5V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 5.3A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1485pF @ 4V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
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SI2329DS-T1-GE3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SI2329DS-T1-GE3 Referenzpreis. SI2329DS-T1-GE3 Parameter, SI2329DS-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI2329DS-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI2329DS-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI2329DS-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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