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SI2351DS-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 115 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1W (Ta), 2.1W (Tc)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.1nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.8A (Tc)
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SI2351DS-T1-GE3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SI2351DS-T1-GE3 Referenzpreis. SI2351DS-T1-GE3 Parameter, SI2351DS-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI2351DS-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI2351DS-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI2351DS-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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