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SI3407DV-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 4.2W (Tc)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±12V
Supplier Device Package 6-TSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 7.5A, 4.5V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1670pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SI3400 Vishay Precision Group Spezialisierte heiße ICs 36296
SI3400-BZ-GM Energy Micro (Silicon Labs) PMIC - Power-over-Ethernet (PoE) Controller 2576
SI3400-BZ-GM Silicon Labs PoE-Controller
SI3400-C-GM Energy Micro (Silicon Labs) PMIC - Power-over-Ethernet (PoE) Controller 2550
SI3400-C-GM Silicon Labs PoE-Controller
SI3400-CZ-GM SILICON Spezialisierte heiße ICs 3
SI3400-D-GM Energy Micro (Silicon Labs) PMIC - Power-over-Ethernet (PoE) Controller 2764
SI3400-D-GM Silicon Labs PoE-Controller
SI3400-DC SILICON Spezialisierte heiße ICs 5500
SI3400-DU SILICON Spezialisierte heiße ICs 2636

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SI3407DV-T1-GE3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SI3407DV-T1-GE3 Referenzpreis. SI3407DV-T1-GE3 Parameter, SI3407DV-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI3407DV-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI3407DV-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI3407DV-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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