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SI3430DV-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA (Min)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170 mOhm @ 2.4A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.8A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 6-TSOP
Power Dissipation (Max) 1.14W (Ta)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.6nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
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SI3430DV-T1 VISHAY Spezialisierte heiße ICs 17389
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SI3430DV-T1-GE3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SI3430DV-T1-GE3 Referenzpreis. SI3430DV-T1-GE3 Parameter, SI3430DV-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI3430DV-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI3430DV-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI3430DV-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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