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SI3475DV-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package 6-TSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.61 Ohm @ 900mA, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 50V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 950mA (Tc)
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SI3475DV-T1-GE3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SI3475DV-T1-GE3 Referenzpreis. SI3475DV-T1-GE3 Parameter, SI3475DV-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI3475DV-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI3475DV-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI3475DV-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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