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SI3879DV-T1-E3 Technische Spezifikationen
MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Supplier Device Package | 6-TSOP |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 480pF @ 10V |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | LITTLE FOOT® |
Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 3.3W (Tc) |
Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
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-
Datenblätter
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Die folgenden Teile umfassen 'SI387'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
SI3879DV-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 68632 |
SI3879DV-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2772 |
SI3879DV-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2790 |
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SI3879DV-T1-E3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SI3879DV-T1-E3 Referenzpreis. SI3879DV-T1-E3 Parameter, SI3879DV-T1-E3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI3879DV-T1-E3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI3879DV-T1-E3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI3879DV-T1-E3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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